采用低全球变暖潜能气体的非均匀硅背面边缘到中心等离子体刻蚀工艺，用于高带宽存储器（HBM）

《Plasma Processes and Polymers》：Nonuniform Silicon Backside Edge-to-Center Plasma Thinning Process Using Low Global Warming Potential Gas for High Bandwidth Memory (HBM)

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摘要

传统的基于SF₆的刻蚀技术在HBM封装中存在产量低和边缘破损的问题，这是由于轮廓控制不佳以及温室气体效应（GWP）较高所致。为了解决这些问题，提出了一种多步骤工艺，使用ClF₃、IF₇和C₄F₆。虽然ClF₃能够有效实现晶圆减薄，但ClF₃/IF₇/C₄F₆与局部磁场的结合能够精确调节晶圆边缘的轮廓。等离子体诊断显示，IF₇能够捕获电子，通过碘类物质降低等离子体的反应活性，从而防止晶圆边缘过度刻蚀。这种方法确保了高产量、最小的表面损伤以及定制的硅晶圆轮廓。最终，这种低温室气体效应的化学工艺为SF₆提供了一种高性能、可持续的替代方案，满足了下一代HBM集成所需的严格机械和环境要求。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。

数据可用性声明

数据可应要求提供。

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