Heusler合金是一类三元金属间化合物,发现于19世纪末,具有广泛的科学和技术应用价值[1]、[2]、[3]、[4]。根据元素周期表,X和Y元素为过渡金属(TM),而Z元素则涵盖了多种主族元素[5]、[6]。Heusler合金通常结晶为类似的立方晶格。全Heusler(FH)合金的化学计量比为X2YZ,而半Heusler(HH)合金的化学计量比为XYZ[5]、[6]。FH合金属于L21晶体结构(空间群编号225),由四个相互穿插的面心立方(fcc)子晶格组成;而HH合金则属于C1B结构(空间群编号216),其中一个L21子晶格被空位取代,导致X原子数量减半[7]。这些晶格的原子位置分别为8c(0.25, 0.25, 0.25)、4a(0, 0, 0)和4b(0.5, 0.5, 0.5)。
由于这些结构和化学差异,Heusler合金展现出不同的电子和磁性质,具有重要的应用前景[8]。例如,它们可用于热电发电和制冷[9],并且因其磁形状记忆效应和较大的磁热效应而受到关注[8]、[10]。此外,这些化合物在自旋电子器件中也有重要应用[5]、[6]、[11]、[12]、[13],这主要归因于它们的半金属性。这种半金属性源于费米能级处存在自旋方向的能量间隙[10]、[14],从而实现完美的自旋极化[2]、[8]、[12]、[13],这对自旋电子学和磁电子技术至关重要[5]、[6]、[11]。
Heusler型材料的特性主要由其晶体结构和化学组成决定[1]、[15]。这一特点在基于钌的化合物中尤为明显,这类化合物在过去十年中受到了广泛关注[4]、[11]。例如,Bhat和Gupta[16]对Ru2VGe和Ru2VSb化合物的研究预测了具有100%自旋极化的半金属性铁磁基态,符合Slater-Pauling规则。Mokhtari等人[4]对Ru2CrZ(Z = Si, Ge, Pb, Sn)等合金进行了系统研究,发现它们具有接近半金属性的性质。相反,Okada等人[14]和Kanomata等人[10]对Ru2CrGe的研究以及Gotoh[17]对Ru2MnGe的研究则表明这些合金具有稳定的反铁磁基态,这突显了Y位过渡金属替代对磁序的敏感性。
理论研究表明,Heusler合金Ru2VGe是一种有前途的半金属性铁磁体,其总磁矩为1.0 μB,符合Slater-Pauling规则[2]、[13]、[16]。该合金具有高自旋极化特性,且少数自旋通道的间接带隙非常窄(约66 meV[2]、[16])。然而,这类材料的电子结构对过渡金属替代非常敏感。例如,用Cr替代V会得到Ru2CrGe,实验表明其在低温(9 K)下为绝缘体[10];而Ru2TiGe(价电子数为24)理论上应为非磁性半导体,并具有伪带隙。但实际上,其性质常受到反位缺陷引起的超顺磁团簇的影响[9]。因此,全面分析V被Cr或Ti替代对电子结构和带隙的影响至关重要。
因此,在本研究中,我们通过第一性原理计算系统地研究了Ru2V1-xYxGe(Y = Cr, Ti)系列合金在整个浓度范围(x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1)内的电子和磁性质变化。通过Murnaghan状态方程进行总能量最小化来评估结构稳定性。为确保稳定性分析的全面性,我们还计算了独立弹性常数、形成能以及通过声子能带色散来评估动态稳定性。此外,还通过电子能带结构和态密度计算进一步探讨了晶格常数变化对半金属性和总磁矩的影响。