采用短沟长晶体输入输出场效应晶体管（IO FET）的高帧率显示器，应用于背板设计

《Journal of the Society for Information Display》：High-Frame-Rate Display Using Short-Channel-Length Crystal IO FET on Backplane

　　

摘要

我们证明了即使在通道长度为1.5微米的情况下，采用晶体氧化铟（IO）作为有源层的晶体管也表现出典型的“常关”特性，并且迁移率为72.4厘米2/伏特。利用这种有源层，我们制造了一种显示器及其扫描驱动器，这些设备中的场效应晶体管（FET）能够支持120赫兹（8K4K）和240赫兹（4K2K）的刷新率，且其功耗均低于使用IGZO作为有源层的显示器。鉴于未来设备（如支持人工智能的智能手机）对更高刷新率和更低功耗的需求，晶体IO FET成为满足这些要求的应用领域的理想候选者。

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