《Inventions》:Wide-Band Compact Substrate-Integrated Coaxial Line Transition
Mohamed Mamdouh M. Ali,
Shoukry I. Shams,
Mahmoud Elsaadany,
Ghyslain Gagnon and
Abdelrazik Sebak
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针对5G/6G通信系统中波束成形网络对宽带低损耗过渡器件的迫切需求,研究人员提出了一种新型直角同轴至基片集成同轴线(SICL)过渡结构。该设计采用空气填充K型连接器,在无需金属外壳的情况下实现了12-18 GHz全Ku波段覆盖,回波损耗优于20 dB,背靠背配置下插入损耗仅0.22 dB/英寸,为紧凑型天线馈电网络提供了实用化解决方案。
在5G技术尚未全面普及的今天,全球科技界已悄然打响6G标准争夺战。这场竞争的核心在于如何通过空间分集技术大幅提升信道容量,让更多终端同时享受更高数据速率。作为实现空间分集的关键,波束成形网络需要大量高性能微波元件——耦合器、功分器、天线和过渡器,这些元件必须具备深匹配、宽带工作和超紧凑尺寸三大特征。然而现实情况是,现有微波元件在电气性能和成本之间难以平衡,严重制约了技术扩张。
在各种传输结构中,基片集成同轴线(SICL)凭借低色散、低辐射损耗的特性脱颖而出,其高效功率利用和低信号失真特性使其成为理想选择。但长期以来,缺乏高性能过渡器件的现状阻碍了SICL技术的广泛应用。传统同轴转SICL方案要么需要笨重的金属外壳,要么组装工艺复杂,要么带宽有限,要么插入损耗过高。特别是直接连接方案,通过在λ/2处开路或在λ/4、3λ/4处短路来实现匹配,不仅带宽受限,而且对加工公差极度敏感,基板孔直径微小偏差就会导致匹配水平恶化至-5 dB。这些痛点正是本研究要攻克的核心难题。
为解决上述问题,Mohamed Mamdouh M. Ali、Shoukry I. Shams、Mahmoud Elsaadany、Ghyslain Gagnon和Abdelrazik Sebak研究团队在《Inventions》期刊发表了一项创新成果,提出了一种新型直角同轴至SICL过渡结构。该设计通过引入梯形导体宽带短路结构、调谐柱(tuning pill)和圆形贴片等创新元素,成功实现了Ku波段(12-18 GHz)的全覆盖,回波损耗超过20 dB,且无需金属外壳或复杂多层结构。
研究采用了多项关键技术方法:首先基于Roger 6002介质基板(介电常数εr=2.94,损耗角正切tanδ=0.0012)设计了对称SICL结构,通过优化线宽wf、顶部基板高度h1和底部基板高度h2实现50 Ω阻抗匹配;利用CST Studio Suite 2025进行全波电磁仿真;采用参数扫描方法系统研究了背短路长度ls、圆形贴片直径φpatch等关键尺寸的影响;最终制作背靠背配置样品,使用N52271A PNA网络分析仪测试S参数验证性能。
2.1. Proposed SICL Design
研究人员设计的SICL结构由夹在两层平行接地板之间的导体构成,采用Roger 6002介质基板确保低损耗和高频性能。通过在馈线周围布置电镀过孔,有效抑制高阶模传播并减少电磁辐射。仿真显示该结构在20 GHz以上才出现高阶模,确保了工作频段内的单模传输。
2.2. Direct Transition Limitations
直接过渡方案通过同轴内导体与馈线中心导体直连,配合λ/2处开路或λ/4、3λ/4处短路实现匹配。仿真结果表明,短路方案匹配深度优于开路方案,因为SICL技术难以完美实现开路。两种方案均存在带宽受限问题,且对基板孔直径公差极度敏感,微小偏差会导致匹配水平显著恶化至-5 dB。
2.3. Proposed Wideband Transition
提出的宽带过渡结构包含多个创新设计:底部基板开有与同轴外导体直径匹配的金属化孔,使同轴内导体顺利穿过;设置直径φpill的调谐柱连接内导体引脚与顶层地,最小化反射;采用梯形导体构成的宽带短路结构,其锥形轮廓产生频率依赖的反射点,确保在整个Ku波段反射波与入射寄生反射保持近180°相位差,实现连续相消干涉;在连接点设置圆形贴片作为阻抗匹配元件,桥接垂直同轴引脚与水平SICL;还集成了宽度Wt、长度lt的匹配变换器。参数研究表明,背短路长度ls为2.9 mm时,短截线的感抗完美抵消结电容,实现12-18 GHz范围内优于20 dB的回波损耗;圆形贴片直径φpatch为2.84 mm时,在12.8 GHz和17.1 GHz形成双谐振,分别对应于同轴-贴片界面和贴片-SICL阻抗变换,实现最佳补偿状态。
3. Results
研究人员制作了背靠背配置样品,使用高温高压环氧树脂层压组装。测量与仿真结果高度吻合,在15 GHz中心频率实现40%相对带宽,匹配水平达-15 dB,插入损耗小于-0.6 dB。与现有SICL过渡结构相比,该设计在12-18 GHz范围内实现-15 dB匹配水平和低插入损耗,且无需金属外壳,简化了制造工艺。
4. Conclusions
该研究提出的新型直角同轴至SICL过渡结构在紧凑尺寸下实现了卓越电气性能,覆盖整个Ku波段且匹配水平超过20 dB。采用空气填充K型连接器,在18 GHz以下实现了最优电气特性和阻抗匹配。背靠背测试结果验证了设计的可靠性,为高频应用特别是紧凑型天线馈电网络提供了实用化解决方案。
这项研究的创新价值在于突破了传统SICL过渡器件的多重限制:梯形短路结构通过频率依赖的反射相位控制实现了宽带匹配,圆形贴片和调谐柱的引入显著降低了对加工公差的敏感性,整体设计避免了金属外壳和复杂多层结构,大幅提升了集成可行性。相比文献报道的其他方案,该设计在带宽、匹配深度、插入损耗和集成便利性方面均展现出明显优势,为6G通信系统中波束成形网络的实现提供了关键器件支撑,也为其他毫米波应用中的过渡设计提供了新思路。