更正：“CuBiSeCl2的合成、结构与性质：一种低热导率的硫属化合物材料”

《Chemistry of Materials》：Correction to “Synthesis, Structure, and Properties of CuBiSeCl2: A Chalcohalide Material with Low Thermal Conductivity”

　　

根据补充信息中图S34的内容，电离势(IP)应来自于价带最大值(VBM)，其值应为“5.05 eV”，而不是原始出版物中的“5.5 eV”。同时，图5(b)中CuBiSeCl₂的能带对齐也需要根据这一更正进行修改。

同样在补充信息的第S12节、表(ii)中，高对称性CuBiSeCl₂结构中Cu–Cl (1)和Cu–Cl (2)的键价和(BVS)计算结果应为“0.05692”，而不是“0.005692”。

完整的更正后的补充信息和图5已在此呈现。作者指出，这些更正并不影响论文的主要结论。