荧光体转换的白光二极管(W-LED)依靠红光荧光体与蓝光和黄/绿光荧光体相结合,从而产生全光谱可见光,具有高显色指数(CRI)和低相关色温(CCT)。[1]掺Eu2+的II-VI族荧光体(通式为MSe1-xSx,0 ≤ x ≤ 1,M = IIA/XIIB族金属)非常适合用于构建暖白光二极管,因为Eu2+的4f65d1到4f7态跃迁可产生615-650纳米范围内的可调红光。[2],[3]这一范围内的红光位移源于晶体场分裂和质心位移效应。[4]对II-VI族化合物的研究催生了一系列用于照明的红光荧光体。[5]与最先进的氮化物荧光体([(Ba,Sr)Si5N8:Eu2+, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+)相比,MSe1-xSx:Eu具有更高的量子效率(QE = 85–92% vs. 78–85%),更低的热淬灭效应(150°C时QE损失≤10% vs. 15–20%),以及更优异的CRI(≥85 vs. ≤80),这些特性使其成为实现自然色彩再现的暖光光源的理想选择。[6],[7],[8],[9],[10]
然而,MSe1-xSx:Eu的实际应用受到湿气诱导降解的显著阻碍:在85°C/85%相对湿度下暴露100小时后,其光致发光(PL)强度会降低40-60%,这归因于Se2-的氧化和晶格缺陷(例如Ca空位)的形成,这些因素会破坏Eu2+的发光中心。[9],[10]先前的研究将这种不稳定性归因于Se2-的低电荷密度,这会削弱Ca-Se键并加速水解反应——但目前针对这些问题的缓解策略仍然较少。[11],[12],[13]使用保护性涂层进行封装是一个可行的解决方案,但传统方法存在关键限制:溶胶-凝胶和湿化学方法会产生超过30%的废弃物,并形成具有界面缺陷的非均匀涂层;[14],[15],[16],[17],[18],[19],[20];而原子层沉积(ALD)需要超过90纳米的涂层才能实现有效的阻隔性能,导致产量极低(≤0.1千克/小时),无法满足工业化生产的需求。[10],[22]等离子辅助薄膜沉积(PAFD)虽然提高了均匀性,但仅适用于薄涂层(<50纳米),并且对微米级荧光体的粘附性较差。[18],[21]聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和SiO2纳米颗粒涂层在LED工作条件下的长期热稳定性不足(>120°C)。[12],[14]
为了解决这些未解决的问题——即需要具有良好一致性、可扩展性和热化学稳定性的MSe1-xSx:Eu涂层,[23],[24]——我们引入了一种定制的流化床化学气相沉积(FB-CVD)技术。与ALD(产量:0.1千克/小时)和PAFD(涂层厚度<50纳米)相比,FB-CVD实现了高产量(≥1千克/小时),同时能够在微米级粉末(15–30微米)上沉积厚(10纳米–2微米)且无针孔的Al2O3/TiO2交替层。尽管与ALD和PAFD相比产量更高,但FB-CVD在工业规模批量处理方面具有更大的潜力,因为它可以方便地扩大反应器尺寸。该方法平衡了质量扩散和表面反应动力学,确保了涂层在颗粒间和颗粒内的均匀性,避免了聚集现象,解决了现有方法的关键限制。此外,我们合成了高纯度的CaSe1-xSx:Eu荧光体,其晶体结构明确(晶格参数0.578纳米),表面清洁,优化了其与FB-CVD涂层的兼容性。所得涂层荧光体具有更好的防潮性能,并在加速老化(85°C/85%相对湿度)后仍能保持95%以上的亮度。