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通过低温偏振拉曼分析研究InAs/GaAs1?xSbx量子点异质结构中的界面声子
《physica status solidi (b)–– basic solid state physics》:Interface Phonons in InAs/GaAs1?xSbx Quantum Dot Heterostructures by Low-Temperature Polarized Raman Analysis
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年04月24日 来源:physica status solidi (b)–– basic solid state physics 1.8
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本文通过低温偏振拉曼散射技术,研究了双层应变耦合的