在过去的几十年里,材料研究主要集中在利用组成工程、缺陷工程和异质结构工程策略来设计先进的功能材料。通过调控掺杂和/或相工程可以改变材料的结构特征和电子结构,从而在催化、光学、电子、介电和耐腐蚀性能方面取得显著进展[1], [2], [3], [4], [5], [6]。在这一更广泛的功能优化背景下,近年来许多国家实施了限制含氧化铅材料的电子产品的法规,以保护公众健康并减少生态破坏[7]。因此,用环保的无铅替代品取代传统的含铅陶瓷已成为一个重要的长期目标。在这方面,基于钙钛矿的陶瓷(通式ABO3)是一类具有重要特性的铁电陶瓷,如良好的介电性能和优异的化学稳定性[8]。这些重要特性使得钙钛矿化合物成为含氧化铅陶瓷的良好替代品。此外,随着小型化需求的增加和在小型电气结构中的广泛应用,对坚固的基体设计也给予了特别关注。
在钙钛矿化合物中,钛酸钡(BaTiO3,BTO)因其优异的介电常数、铁电行为和非线性光学系数以及自发极化而成为含铅材料的最有前景的替代品之一,使其在微电子、铁电和光电子应用中具有高效性[9]。BTO常用于制造各种设备,如多层陶瓷电容器(MLCC)、压电器件、超声波换能器、高密度光学数据存储器、正温度系数电阻器等[10], [11], [12], [13]。BTO的晶体结构依赖于温度,会经历正交、四方、六方和立方等多个相变。在室温下,四方晶体系统具有最高的稳定性[14]。尽管BTO具有高度的通用性,但其原始物理特性仍不如传统的含铅陶瓷材料。为了解决这一问题,人们采用了多种方法,包括化学掺杂、制备复合材料、调控晶粒尺寸、表面改性等,以提升BTO的性能[15], [16], [17], [18], [19], [20]。BTO的多样性源于其强钙钛矿结构,该结构具有很高的灵活性,可以通过A位点或B位点的替代来容纳多种客体阳离子。许多阳离子掺杂剂被用来调节材料的电学性质[21]。特别是,稀土氧化物(REOs)元素被报道可以稳定BTO,提高介电常数并降低介电损耗[22]。研究表明,从大离子半径(如La3+、Pr3+、Nd3+)到小离子半径(如Er3+、Yb3+)的少量RE离子,可以通过晶界钉扎机制有效抑制晶粒生长[23]。此外,一些REOs可以作为异价掺杂剂(由于它们的电荷与BTO中的离子不同),导致缺陷的形成,从而实现高介电常数和低损耗,并提供出色的高温稳定性,这对于微型化电子设备至关重要[24], [25]。REOs还能延长电气设备的寿命和可靠性,例如MLCC,通过防止氧空位的迁移,否则会导致绝缘失效[25], [26], [27]。
像Yb3+这样的重离子的离子半径介于Ba2+(A位点)和Ti4+(B位点)之间。当它们嵌入A位点时可以作为供体,而在B位点时可以作为受体[26]。这种两性行为使得BTO的电学性质得以调整[23], [28]。具体来说,添加少量Yb2O3被证明是一种有效的晶粒细化方法,因为较小的Yb3+离子的溶解度较低。Yb2O3还倾向于在晶界处更容易分离,形成对晶粒迁移的强物理屏障[26]。此外,Yb3+的两性特性使其能够嵌入BTO的A或B亚晶格中。这种效应有效地破坏了长程铁电有序性,从而提高了BTO的介电性能[29]。已经有许多关于添加REOs改性的BTO的研究。例如,J. H. Park等人报告了1 mol%的MgO和不同的1 mol% REOs(包括Y2O3、Dy2O3和Yb2O32O3-MgO共改性BTO和Dy2O3-MgO共改性BTO样品都形成了单一的四方相。然而,在MgO-Yb2O3共改性BTO样品中检测到了伪立方结构和次要相。作者将这种现象归因于Yb3+离子在BTO体系中的溶解度达到极限。重要的是,在不同样品中,MgO-Yb2O3共改性BTO样品在MLCC应用中表现出良好的性能。G. Yao等人表明Yb3+离子在改变BTO的居里温度(Tc)方面起着主导作用[30]。Y.H. Song等人报告了1 mol%的REOs(即Ho2O3、Yb2O3和Er2O3)对提高温度稳定性、降低介电损耗、控制晶粒生长以及调整X8R电容器等电子应用中的Tc的积极影响[31]。Soo Kyong Jo等人研究了多种REOs(RE = La、Yb、Ho、Nd和Sm)的多掺杂对BTO性能的影响。作者得出结论,BTO的介电性能和微观结构演变受到单元格体积的显著影响,后者与RE离子占据的特定晶格位置及其各自的离子半径有关[32]。
虽然以往的研究主要关注低浓度两性Yb2O3的掺杂效果,但关于高掺杂量下的结构和功能演变的数据仍然缺乏。本研究旨在系统地探讨高浓度Yb2O3(2 wt.%至20 wt.%)添加对BTO的相演变、微观结构形态、磁学特性、电学和介电性能的影响。通过评估这些高掺杂水平,本研究旨在确定溶解度阈值,并研究超过这一阈值后的功能性质,以及优化结构演变与介电行为之间的关联。这些发现为通过利用溶解度极限和界面扩散来工程化介电材料提供了新的见解,而不是简单的晶格替代,从而为先进的能量存储和电容器应用定制介电和磁响应。