电沉积铜箔由于其优异的导电性、机械柔韧性和可控的厚度,已成为锂离子电池负极集流体、芯片和印刷电路板互连的理想材料[[1], [2], [3]]。随着锂离子电池向更高能量密度发展,电子元件在电路中的密度增加,对铜箔的性能要求也越来越高,这推动了铜箔向超薄尺寸和更优综合性能的方向发展[[4], [5], [6], [7], [8]]。当铜箔厚度降至≤4.5 μm时,初始沉积层的比例变得尤为重要,这一比例受到阴极辊外延生长的影响[[9], [10], [11]]。因此,阴极辊成为影响铜箔质量的关键因素。
目前关于电解铜箔微观结构和性能调控的研究主要集中在镀液组成和电沉积工艺参数上[[12], [13], [14], [15], [16]]。关于钛阴极辊影响的研究较少,仅有有限的文献涉及基底表面条件的影响[[17], [18], [19], [20]]。具体而言,表面粗糙度、缺陷特性和氧化膜会通过改变局部电流密度分布和成核位点密度来影响沉积过程。过高或过低的粗糙度都不利于均匀和致密的成核,最佳粗糙度值约为1 μm [9,21]。表面缺陷(如位错、晶界和微裂纹)由于其较高的表面能和不饱和的原子配位状态,可作为电沉积过程中铜优先成核和附着的活性位点。然而,过高的缺陷密度可能会破坏局部沉积动力学,导致铜箔表面粗糙度增加、孔洞形成和微观应力集中[22,23]。钛表面容易与氧气结合形成氧化膜(TiO2),该氧化膜起到剥离层的作用,确保铜箔容易从阴极上分离。同时,其电化学性质也会影响铜的沉积行为[17]。钛表面的氧化膜(TiO2)通常会抑制铜的沉积,因为其电阻率较高[24,25],但当其厚度超过23 nm时,由于晶体性和导电性的改善,可能会转变为促进沉积的状态[26]。相比之下,钛基底微观结构参数(如晶粒尺寸和晶体取向)的影响研究较少。理论上,铜原子通过晶格匹配外延在钛基底上生长,因此铜的成核/生长行为和箔的微观结构严重依赖于钛的微观结构。
作为基本的微观结构特征,晶粒尺寸在电沉积过程中起着关键作用。然而,钛基底晶粒尺寸对铜电沉积的影响缺乏系统的研究。幸运的是,镍电沉积系统的相关研究可以提供有价值的见解。Ebrahimi等人[27]在铜基底上制备了纳米晶镍沉积层,发现经过退火的铜基底比冷轧铜基底更容易形成更细小的镍沉积层。这是因为退火改变了基底的晶粒尺寸和纹理类型,从而影响了镍的成核速率。Yi等人[28]报告称,随着基底晶粒尺寸的增大,沉积的Ni79Fe21薄膜的晶粒尺寸也会增大。Mishra等人[29]进一步研究发现,较小的基底晶粒尺寸有利于铜层的更均匀成核和生长,从而形成更致密的沉积层。Nezhad等人[30]随后发现,在细晶基底上生长的镍箔具有更好的耐腐蚀性能。总体而言,这些研究强调了基底晶粒尺寸对沉积层的重要性。然而,基底晶粒尺寸在调控金属成核动力学方面的机制作用及其与沉积微观结构的定量关系仍有待揭示。
本研究设计并制备了具有不同表面晶粒尺寸的钛阴极,系统研究了钛基底表面晶粒尺寸对铜离子成核动力学以及超薄电解铜箔的形貌和微观结构的影响。揭示了钛基底晶粒尺寸精细化驱动的初始铜成核路径转变机制,以及钛晶粒尺寸对铜沉积层微观形貌和晶粒尺寸的影响规律。本研究为通过调整钛晶粒尺寸来实现超薄电解铜箔的终极综合性能提供了新的途径。