面向钨过渡边缘传感器的发展：在光学/近红外波段实现更高的能量分辨率

《IEEE Transactions on Applied Superconductivity》：Development Toward Tungsten Transition-Edge Sensors with Improved Energy Resolution in the Optical/NIR Regime

　　

我们提出了一个用于光学过渡边缘传感器的能量分辨率模型，该模型结合了现有模型的各个方面，旨在更好地定义和约束能量分辨率的优化。该组合模型与实验数据的吻合度更高，同时还可以对提高能量分辨率的声子捕获现象进行理论探索。此外，我们展示了我们最近在低临界温度（Tc = 50 mK 至 100 mK）的钨过渡边缘传感器（TESs）在光学到近红外（NIR）范围内的性能。我们的钨 TES 探测器表现出与文献中通常报告的不同的“逆”邻近效应。我们分析了在不同磁场屏蔽条件下的多种布线方案测试结构，以减轻和表征这些对器件的虚假影响 Tc。我们开发了一种电子束光刻制造方法，以减少钨 TES 器件的边缘粗糙度，并在超导磁场屏蔽条件下测量这些电子束光刻器件时，展示了更均匀的 Tc性能。