基于电荷陷阱的混合栅堆叠GaN MIS-HEMT阈值电压的分析模型

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Analytical Model on the Threshold Voltage of Charge-Trap-Based Hybrid Gate-Stack GaN MIS-HEMT

　　

摘要：

在本文中，我们提出了一种新的分析模型，用于确定基于电荷陷阱的混合栅极堆栈增强模式（E-mode）AlGaN/GaN MIS-高电子迁移率晶体管（HEMTs）中的阈值电压（VTH）。该表达式是通过同时解决基于能带和电荷分布分析的势能平衡方程以及界面高斯方程得出的，其中电荷陷阱层（CTL）中存储的电荷考虑了Wentzel–Kramers–Brillouin（WKB）隧穿和热激活发射概率。该模型研究了VTH