采用二维ZnS纳米片的高性能Ag/ZnS/Ag MSM紫外光电探测器
《IEEE Transactions on Electron Devices》:High-Performance Ag/ZnS/Ag MSM Ultraviolet Photodetector Using 2-D ZnS Nanosheets
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时间:2026年04月29日
来源:IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
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摘要: 采用Ag/ZnS纳米片/Ag结构在热氧化的Si/SiO2基底上制备了一种高性能的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器(PD)。ZnS纳米片活性层是通过一种简单且成本效益高的水热法合成的。银(Ag)电极通过交叉指形阴影掩模的热蒸发沉积形成MSM结构。该器件的光响应特性在
摘要:
采用Ag/ZnS纳米片/Ag结构在热氧化的Si/SiO2基底上制备了一种高性能的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器(PD)。ZnS纳米片活性层是通过一种简单且成本效益高的水热法合成的。银(Ag)电极通过交叉指形阴影掩模的热蒸发沉积形成MSM结构。该器件的光响应特性在365nm的紫外(UV)光照下进行了研究。在3V的偏压下,该器件表现出良好的性能,实现了82.5 A/W的高响应度(R)和……4……62×1013 的量子效率(EQE)为28000%。此外,该PD具有快速响应特性,上升时间为82.76ms,下降时间为80.20ms,证实了其适用于快速紫外传感应用。
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