一种新型的拱形磁体可变磁通量存储装置 刘伟、 邱书恒、 陈金华、 卢培森、 舒新东、 李荣、 张驰

《Energies》：A Novel Arch-Shaped-Magnet Variable-Flux Memory Machine Wei Liu, Shuheng Qiu, Jinhua Chen, Peisen Lu, Xindong Shu, Rong Li and Chi Zhang

　　

摘要

本文提出了一种新型的拱形磁体可变磁通量存储机（ASM-VFMM）。该存储机采用了双层永磁体（PM）转子结构。在第一层中，采用拱形磁体排列来增加低矫顽力（LCF）磁体的体积，从而提高了磁通量调节（MFA）性能。第二层采用了非对称永磁体（APM）布局，形成了一个并联磁路，进一步降低了磁通量减弱状态下的气隙磁通密度。首先描述了该存储机的拓扑结构，包括传统的串联磁路（SMC）结构、中间的APM结构以及所提出的ASM结构。随后对这三种结构进行了理论建模分析，证实了所提设计的MFA性能优势。对所提出的存储机进行了全面的电磁性能评估，并与其他两种结构进行了对比。结果表明，在磁化性能、MFA范围和负载磁化稳定性方面，所提设计均优于其他两种结构。特别是在高速运行条件下，该存储机表现出优异的整体效率特性。