原位光发射光谱技术在AlN及AlN/4H-SiC异质结薄膜生长与能带工程中的引导控制应用

《Thin Solid Films》：In-situ optical emission spectroscopy guided control of thin-film growth and band engineering of AlN and AlN/4H-SiC heterojunction

　　

Jin Yang|Ye Li|Mengchao Du|Shuyu Cui|Luye Yao|Peipei Li|Yue Liu|Baipeng Liu|Hao Zhang|Sanjie Liu|Mingzeng Peng|Huiyun Wei|Xinhe Zheng

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  原位OES技术将等离子体成分与AlN的组成和结晶性联系起来。
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  Ar/N2 = 10:20的混合气体可制备出具有强(0002)取向的致密AlN。
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  AlN/4H-SiC异质结表现出2.9 eV的导带偏移。
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  Al-N的发射特性可用于实时评估AlN薄膜的质量。