利用原子探针断层扫描技术估算掺杂硅基板中的磷浓度

《Ultramicroscopy》：Estimation of Phosphorus Concentration in Doped Silicon Substrates Using Atom Probe Tomography

　　

苏俊鹏|周同焕|杨宇辰|黄玉琳|林坤琳|吴育忠

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  激光能量显著影响硅中的磷离子形成过程。
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  高激光能量会促进多聚态P?/P?离子的形成，并增加光谱重叠现象。
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  低激光能量可以抑制多聚态离子的产生，从而提高定量分析的准确性。
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  在5 pJ的激光能量下优化的硅原子探针（APT）技术，其分析结果与扫描离子显微镜（SIMS）的结果高度一致（偏差约为1%）。
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  本文为半导体中掺杂剂的准确分析提供了实用指导。