多相混合价态氧化锡的研究因其异质结构特性和整体协同电子效应而受到了广泛关注1, 2。相关研究通常涉及歧化过程和异质结构的形成,特别是SnO-SnO2和SnO2-Sn3O4组合。与单相氧化锡相比,多相氧化锡在机械强度、光学透明度和电子导电性方面具有显著优势3, 4。在催化领域,它们可以加速化学反应5, 6。在储能方面,它们可以提高电池和超级电容器的效率和容量6, 7, 8。这些材料是新型先进显示技术和光电子学中光伏器件的基础2, 4。多相氧化锡中各相之间的特殊耦合产生了新的功能,推动了这些技术的发展1, 3。基于锡的氧化物中多种氧化态的存在对于调节其电子结构和缺陷化学性质以及界面性质至关重要[3]。
一氧化锡(SnO)是一种p型半导体,其带隙约为2.9 eV,氧化态为+2。其导电性通常归因于在富氧条件下形成的Sn空位9, 10。由于其高载流子迁移率,SnO在透明电子学和光电子设备中引起了极大兴趣11。另一方面,二氧化锡(SnO2)处于+4氧化态,表现为n型半导体12。其较低的室温直接带隙为3.6 eV,使其成为许多高性能设备的理想候选材料4, 12。在太阳能收集领域,SnO2因其能效提升作用而被广泛用作太阳能电池的透明导电电极12。SnO2还在锂离子电池和光学传感材料中有多种应用,显示出其在实际技术中的重要性8, 13, 14, 15。另一种混合价态的氧化锡Sn3O4的带隙为2.0–2.5 eV,具体取决于其晶体结构(正交相或单斜相)。它作为可见光光催化剂具有潜力,尤其是在氢气生产方面16, 17。
热歧化、改进的合成方法和外延应变工程已经展示了SnO、SnO2和Sn3O4之间的相变18, 19, 20。由这些氧化物制成的混合材料有多种应用,包括光催化、室温下的NO2气体传感和丙酮气体传感21。尽管已经有很多关于SnO与SnO2二元混合物的研究,但仍然难以合成精确的成分6, 22。这部分是由于不希望形成的Sn3O4以及减少的晶界和接触结22。虽然有一些研究同时使用SnO2和SnO3O4进行某些应用(如催化和光学应用23, 24),但关于由SnO、SnO2和SnO3O4组成的单一纳米晶体系统的报道却很少。这类系统的制备大多采用多步骤或高能量合成方法(例如微波、水热和射频溅射)[25]。
本文描述了一种简单的单步回流方法来制备纳米多相(SnO/SnO2/Sn3O4)系统。该过程产生的纳米颗粒尺寸为2-5纳米,避免了高温煅烧步骤,提供了一种简单的制备所需氧化锡异质结构的方法。本工作的目标是通过简单、低成本的回流技术合成多相SnO2-Sn3O4混合纳米晶体,并实现可扩展性。我们使用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和N2物理吸附(Brunauer-Emmett-Teller (BET))对所得混合相进行了全面的结构、形态和化学表征。此外,还通过紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和光致发光光谱进行了光学表征。了解多相氧化锡中缺陷对光响应的影响对于优化未来用于光催化和光电子技术的材料至关重要。我们发现,合成的纳米混合物表现出显著的紫外-可见吸收和较低的光致发光(PL)发射强度。这种行为可能与多相界面和混合氧化态下的缺陷密度增加有关,这一点通过BET和XPS分析得到了证实。
尽管已经多次报道了SnO-SnO2和SnO2-Sn3O4等二元氧化锡,但使用简单的低温合成路线制备三相SnO/SnO2/Sn3O4纳米复合材料的研究相对较少。大多数报道的方法采用水热、微波或溅射技术,这些方法需要高温步骤来诱导相变[25]。相比之下,本研究展示了在100°C下通过单步回流过程直接形成超小(2-5纳米)多相纳米晶体,且无需后续煅烧。这种路线提供了一种简单的途径来获得富含缺陷、高表面积的多相氧化锡纳米结构。