一种基于高性能PIVGA技术的W波段6位9毫瓦有源相位移动器,采用相位曲线重塑技术
《IEEE Journal of Microwaves》:A W-Band 6-Bit 9 mW Active Phase Shifter With Phase Curve Reshaping Technique Based on High Performance PIVGA
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时间:2026年05月27日
来源:IEEE Journal of Microwaves 4.9
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摘要:本文介绍了一种基于功率域矢量和技术的W波段6位有源移相器,该移相器采用了新型高性能反相可变增益放大器(PIVGAs)。该移相器由一个功率分配器、两个PIVGAs和一个正交混合耦合器组成。正交混合耦合器用于实现功率域矢量和,由于其高输入端口隔离性能,PIVGAs引起的负载效
摘要:
本文介绍了一种基于功率域矢量和技术的W波段6位有源移相器,该移相器采用了新型高性能反相可变增益放大器(PIVGAs)。该移相器由一个功率分配器、两个PIVGAs和一个正交混合耦合器组成。正交混合耦合器用于实现功率域矢量和,由于其高输入端口隔离性能,PIVGAs引起的负载效应得到了有效抑制。由于PIVGAs的输出阻抗的实部和虚部不匹配,导致的增益和相位误差约为传统电流合成结构的1%和50%。所提出的新型PIVGAs集成了一个相位补偿电容,用于重塑其额外的相位移动曲线,从而提高了相位移动精度,并通过半象限控制简化了相位控制过程。同时,它还实现了输入和输出阻抗的变化最小化,减少了矢量和过程中的不匹配。该移相器采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺制造,核心面积为585 × 400 μm2。测量结果显示,该移相器在87.4~101.2 GHz的工作频段内,静态功耗为9 mW,峰值平均增益为1.66 dB,RMS增益误差为0.44~0.78 dB,RMS相位误差为1.06°~2.5°。此外,其在94 GHz时的输入1-dB压缩点为?4 dBm。
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