基于AFT-YOLO和紫外光致发光技术的微LED芯片阵列联合缺陷检测

《Optical Materials: X》：Joint defect detection for Micro-LED chip arrays based on AFT-YOLO and ultraviolet photoluminescence

　　

Bowen Duan|Jianghao Shen|Yong Li|Jiasheng Li|Zongtao Li

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  提出了一种结合AOI和PL技术的框架，用于高密度Micro-LED芯片阵列的在线检测。
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  所提出的AFT-YOLO算法在高分辨率Micro-LED缺陷数据集上实现了96.0%的mAP50和99 FPS的检测性能。
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  AWD、FFDN和TDDH模块在轻量级系统约束下提升了微小缺陷和低对比度缺陷的检测能力。
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  采用三西格玛（3σ）规则的GaN PL参考模型能够区分GaN材料本身的退化与接触相关故障。
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  实测的PL诊断时间和较低的触发率表明，PL检测阶段对整个生产线的吞吐量影响很小。