利用原子层沉积和界面工程技术制备的高性能氧化铟准二维电子气晶体管

《Applied Materials Today》：High-performance indium oxide quasi-two-dimensional electron gas transistors using atomic layer deposition and interface engineering

　　

苏万·李（Suwan Lee）|丹贤敏（Hyunmin Dang）|尹泰贤（Taehyeon Yoon）|金俊模（Junmo Kim）|金承铉（Seunghyun Kim）|金爱英（Ahyeong Kim）|莫希特·库马尔（Mohit Kumar）|徐亨卓（Hyungtak Seo）

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  在200°C以下，利用低温原子层沉积（ALD）技术制备了Al₂O₃/In₂O₃准二维电子气（quasi 2DEG）晶体管。
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  通过优化界面结构实现了91.1 cm² V^?1 s^?1的电子迁移率。
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  优化后的器件具有极低的关断电流和超过10¹²的开关比。
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  这些晶体管具有低阈值电压、低亚阈值摆幅以及近乎零的迟滞现象。
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  Al₂O₃覆盖层提升了偏压稳定性，并为可扩展的低功耗氧化物电子器件提供了支持。