氧化锆(ZrO2)作为一种功能性宽禁带氧化物,因其化学稳定性、机械强度、光学透明性以及相对较高的介电常数而受到广泛研究。这些特性使其在从玻璃保护涂层到微电子和功率器件堆栈中的高k值介电层等各种薄膜技术中具有吸引力,其中泄漏抑制和缺陷控制是核心要求1, 2, 3。基于ZrO2的薄膜也被用于传感和缺陷工程器件(包括电阻式开关),其中氧空位相关状态控制电荷捕获和电子传输路径4, 5。
氧化锆的一个关键特性是其多晶型(单斜晶系、四方晶系、立方晶系),相稳定性取决于晶粒尺寸、应变、热历史和缺陷化学性质。在薄膜中,亚稳态的立方/四方形态通常由纳米晶化和应力促进,并受缺陷类型和掺杂/缺陷工程的影响6, 7。特别是氧空位起到了有效的“调控作用”,它们有助于相稳定,并引入亚带态,改变光学吸收同时促进缺陷辅助的泄漏和空位介导的传输过程7, 8。
最近针对ZrO2介电堆栈(MOS电容器[2]和晶体管结构[9])的研究表明,介电性能不仅仅取决于名义上的高k值;实际上,它受到界面质量和缺陷辅助导电的强烈限制,其中与空位相关的陷阱和势垒形成控制了泄漏、击穿倾向和可靠性2, 5, 8, 10。同时,最近的光学涂层研究将ZrO2视为高折射率、低损耗的氧化物,其中厚度、致密化和微观结构均匀性决定了多层或玻璃保护涂层中的折射率、色散和传输损耗1, 11。
尽管这两个研究方向都已成熟,但在许多关于喷雾法制备的ZrO2的报告中仍存在一个重要空白:厚度通常被视为一个处理参数,仅影响光学干涉条纹或表面形态,而(i)织构/结晶度和致密化、(ii)透明/近红外区域的介电响应(通过复杂的介电函数)以及(iii)缺陷介导的电传输/泄漏路径之间的关联变化,并未在相同条件下制备的一系列样品中得到统一解释。这一空白在玻璃上的喷雾热解过程中尤为突出,因为裂纹/覆盖率、密度和优先取向会随厚度显著变化,从而影响光学损耗和电传输势垒。
在现有的制备方法(溶胶-凝胶[12]、溅射[13]、原子层沉积[14]和可扩展的喷雾方法[15, 16]中,喷雾热解法因能在无需真空设施的情况下实现大面积沉积和均匀覆盖而具有吸引力[10]。然而,由于喷雾法制备的ZrO2薄膜的厚度变化可能导致其性质(覆盖率、裂纹、密度和织构)显著变化,因此将厚度驱动的微观结构变化与光学/介电响应和电传输联系起来至关重要。对于高阻抗氧化物而言,温度依赖的导电性尤其具有信息价值,因为阿伦尼乌斯分析可以揭示传输是由单一激活能还是由与浅陷阱、晶界势垒和深层空位相关状态相关的多个机制共同控制的5, 8, 17。
因此,在本研究中,通过喷雾热解法在玻璃上沉积ZrO2薄膜,并通过控制喷雾体积来获得厚度一致(约186–370纳米)的系列样品。本研究的新颖之处在于首次建立了(i)相/织构演变与致密化、(ii)光学常数和近红外介电响应(通过ε(ω)和Spitzer–Fan分析)以及(iii)缺陷介导的电传输之间的厚度相关联系,包括识别导电性中的不同低温和高温激活机制。有趣的是,这种综合的厚度系列方法直接关联了喷雾热解ZrO2的厚度驱动生长和缺陷特性,从而将其与光学涂层性能和偏压下的介电层限制联系起来。