基于多层波导和SiGe技术的非接触式D波段MMIC到波导过渡结构设计

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：Design of Contactless D-Band MMIC-to-Waveguide Transition Based on Multilayer Waveguide and SiGe Technology

　　

摘要：

本文提出了一种将硅-锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）转换为波导（MMIC-WG）的方案。该转换方案包括在芯片的接地平面上刻蚀一个槽口，并在金属波导中设置两级阶梯结构。槽口作为无接触电磁场耦合的发射器，由一条短路的微带线供电；阶梯结构则起到阻抗变换器的作用。由于组装过程中需要沿H平面分割波导，因此在多层波导（MLW）中引入了具有滑移对称性的孔洞作为电磁带隙（EBG）结构，以抑制信号泄漏，这与H型分割矩形波导（RWG）中使用的金属引脚不同。作为概念验证，我们基于MLW技术实现了背靠背（B2B）转换，并添加了H型分割RWG作为参考结构。测量结果显示，所提出的转换方案的插入损耗为2 dB，与仿真结果吻合良好。此外，文中还展示了封装后的接收器，以验证这些转换方案在亚太赫兹（sub-THz）系统集成中的可行性。