一种具有5.55mV/°响应度的D波段相位检测器，适用于130纳米SiGe BiCMOS技术中的内置自测试和自校准功能

《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》：A D-Band Phase Detector With 5.55mV/° Responsivity for Built-in Self-Test and Self-Calibration in 130-nm SiGe BiCMOS Technology

　　

摘要：

本文介绍了一种D波段相位检测器（PD）电路，该电路结合了一个差分正交频率倍增链，使得相位差可以外部调节以用于特性测试。该相位检测器采用了异或（xor）和异或非（xnor）逻辑门，随后通过一个低通滤波器（LPF），将两个D波段信号之间的相位差转换为电压差。IHP公司采用的先进130纳米SG13G2技术使得该电路能够在整个D波段（110至170GHz）内正常工作。该相位检测器的响应度为5.55mV/°，最小可检测相位为0.123°，测量结果证实了其在100GHz以上频率范围内的性能，适用于内置自测试（BIST）和内置自校准（BISC）应用。相位检测器在3.3V电源电压下消耗25.5mA的电流，而用于特性测试的频率倍增链的功耗为288.2 mW。测量结果表明，该相位检测器非常适合用于具有良好抗干扰能力的D波段收发器前端中的BIST和BISC功能。